糖果派对贴吧

电子科学与技术学院韩素婷副教授成果在《Advanced Materials》发表论文

发布时间:2018-05-22 00:00:00阅读量:149522

 

近日,我校电子科学与技术学院韩素婷副教授成果在Advanced Materials(影响因子:19.791, 中科院JCR一区)上发表题为“Synergies of electrochemical metallization and valance change in all-inorganic perovskite quantum dots for resistive switching”的文章(Adv. Mater., 2018, DOI:10.1002/adma.201800327)。该文章的第一作者为电子科学与技术学院博士后王燕,高等研究院周晔研究员为共同通讯作者,深圳大学电子科学与技术学院为第一完成单位及通讯单位。作为下一代非易失型存储器,阻变存储器通过器件在不同电阻状态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储,具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。科学家根据不同材料体系构建了不同的阻变存储器模型,但是隐藏在背后的电阻转变机理仍不够清晰。如何进一步实现对阻变机理的实时动态分析,制备性能更优异的存储器具有重要的研究价值。本文首次将无机卤素钙钛矿CsPbX3量子点应用在阻变存储器中,系统性研究不同光照条件对存储器阻变性能的影响,对今后光控存储器的开发具有一定的指导意义,能够成为该方向上的一个重要亮点。同时创新性地利用SEM、EDX技术对水平结构器件进行动态监测。在阻变存储器机理研究领域方法新颖,具有可借鉴推广性。为实现高性能存储器的制备提供了一种简单高效的理论研究方法。

该研究得到了国家自然科学基金,广东省教育厅,广东省科技厅,深圳市科创委等项目的资助。

研究成果链接:https://doi.org/10.1002/adma.201800327